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株式会社半导体能源研究所(SEL)山崎舜平博士刷新吉尼斯世界纪录(TM)"作为发明人 ...

2025-9-29 20:37| 发布者: 美通社| 查看: 1359| 评论: 0

日本厚木2025年9月29日 /美通社/ -- 截止到2025年3月31日为止,株式会社半导体能源研究所(SEL)山崎舜平博士在半导体器件、显示器及模拟AI等领域共获得20,120件专利,刷新了其自身保持的吉尼斯世界纪录(TM)"为发明人拥有的最多专利"称号。这一成就超过了他之前的纪录,2004年3,245件专利、2011年6,314件专利、2016年11,353件专利。

照片
https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M104105/202509195500/_prw_PI1fl_CUnR65l4.jpg

该纪录于2025年7月9日由六位知识产权专家证明。山崎博士于2025年9月17日收到来自吉尼斯世界纪录认证官的纪录证书。该纪录包括1969年至2025年3月31日期间在日本、美国、韩国、中国和德国等国家获得的专利。大名鼎鼎的"发明王"托马斯•爱迪生(美国,1847-1931)一生共获得2,332件专利,山崎博士已远远超过了这一数字。

山崎舜平博士表示:"两万余件专利是近60年的研究成果。以该纪录为动力,我们将继续推动有助于防止全球变暖的超低功耗LSI及模拟AI等技术的发展。"

山崎舜平博士简介
工学博士,株式会社半导体能源研究所(SEL)董事长兼首席执行官

山崎舜平博士出生于1942年。1970年,他发明了被称为"闪存"的非易失性存储器的基本器件(41件专利,包括日本专利第886343号(日本已审专利申请公开第50-36955号)、美国专利第3,878,549号等基本发明)。1980年,他创立了SEL,并担任代表董事。1997年,因在MOS LSI元件技术方面的创新,被日本政府内阁府授予紫绶褒章。他发表了一种具有yA/微米(10的-24次方A/微米)量级的极低关断电流的氧化物半导体FET*1和*2。

他是IEEE终身会士,瑞典皇家工程科学院(IVA)外籍院士,世界陶瓷科学院(WAC)院士和电化学学会(ECS)会士。他获得了同志社大学的名誉文化博士学位。同时,他也是同志社社友,该称号授予对同志社做出杰出贡献的人。


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