-- MDT 的 TMR 传感器创造了高灵敏度、低噪声、低功耗和大动态范围的业界最佳记录,使 TMR 技术获得广泛的应用 美国伊利诺伊州罗斯蒙特和中国张家港2017年10月3日电 /美通社/ -- 在 Sensors Midwest 2017 国际传感器展览会上,专业的隧道磁阻 (TMR) 磁传感器领先供应商江苏多维科技有限公司 (MultiDimension Technology Co., Ltd., MDT) 将推出新型的 TMR2105 线性磁场传感器,其主要特点包括高达 1000 Oe 的大动态范围,和 2x1.5mm 超小尺寸的LGA封装形式。TMR2105 是一款通用型的磁传感器芯片,可以满足各种使用环境的要求,广泛适用于线性和角度位置测量、接近开关,和电流计量等多种传感器应用。 多维科技董事长兼首席执行官薛松生博士表示:“TMR2105 将 TMR 传感器的动态范围提升到 1000 Oe,克服了包括各向异性磁阻 (AMR)、巨磁阻 (GMR) 和隧道磁阻 (TMR) 的磁阻式传感器在测量范围上的局限性。该项重大突破使得 TMR 传感器适用于更多的应用场景,尤其是对那些需要在强磁场工作环境下使用霍尔效应传感器的应用,提供了 TMR 传感器这一全新的选项。以强大的 TMR 专利技术为后盾,我们的 TMR 传感器产品创造了业界最高的灵敏度、最低的噪声、最低的主动模式功耗,和最大的动态范围。该项技术专长赋予 MDT 独特的竞争力,可以全面实现多种设计方案,并给我们的客户提供最适合的产品以满足最严格的设计要求。” MDT 是领先的 TMR 磁传感器供应商,拥有先进的制造设备和针对 TMR 磁传感器的设计、生产和应用的强大知识产权组合。MDT 的 TMR 磁传感器具备超低功耗、超高灵敏度、超低噪声、大动态范围和卓越的温度稳定性等性能优点,弥补了霍尔效应、AMR 和 GMR 等现有磁传感器技术的局限性,是适合各种工业应用、消费电子和医疗传感器的理想选择。 MDT 旗下 TMR 传感器系列产品的主要特点:
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