新竹2025年9月9日 /美通社/ -- 全球客制化存储芯片解决方案设计公司爱普科技今日宣布,其新一代PSRAM—ApSRAMTM (Attached-pSRAM)已通过客户平台验证,预计将于年底开始量产。ApSRAMTM为爱普科技虚拟静态随机存取存储芯片(PSRAM)再进阶版本,采用全新架构设计,专为边缘计算与物联网应用打造,提供低功耗、低延迟的高性能存储芯片方案。 爱普科技的ApSRAMTM采用更直觉的控制接口,无需复杂的信号校正程序,即能有效支持更高带宽的需求。相较于现行的PSRAM,ApSRAMTM的带宽提升达四倍,动态功耗减少至原来的五分之一。特别适用于重视电池续航的穿戴设备与边缘计算应用,满足新世代智能终端对低功耗与实时数据交换的双重需求。 此外,ApSRAMTM支持存储芯片容量升级,SoC可在不更改设计的情况下,依应用需求弹性扩充容量。产品容量涵盖从128Mb到2Gb,I/O电压支持0.6V至1.1V,满足各种逻辑制程需求,简化系统设计。目前首款ApSRAMTM已进入产品送样阶段,预计于年底量产,后续将陆续推出更多容量选项,满足多元应用与市场需求。 爱普科技副总经理薛泽源表示,当存储芯片产品摆脱标准化的限制后,事实上能开展出更多创新可能。ApSRAMTM即是在这样的思维下诞生的一大突破。未来,ApSRAMTM将成为物联网、穿戴设备、边缘计算等新世代应用的理想选择。爱普科技也将持续深耕存储芯片与封装整合技术,透过产品差异化,协助全球客户打造高性能、低功耗且具市场竞争力的产品方案。 关于爱普科技股份有限公司 欲了解更多信息,请访问https://www.apmemory.com。 |
哪有什么岁月静好,不过是有人替你负重前行。 在贵州,每一帧安居乐业的幸福画...[详细]
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