Micron Technology将讨论新兴存储器和高级存储系统

    爱达荷州博伊西 2014-06-06(中国商业电讯)－－Micron Technology, Inc. （纳斯达克股票代码：MU）今日扼要地介绍了本公司将参加即将来临的定于6月13日开始的2014超大规模集成电路和技术研讨会的计划。Micron的执行层将出席此次大会，同时Micron的研发团队将演示体硅CMOS硅光子的集成特性，以及用于存储级存储器应用中的抗铜随机存取存储器（ReRAM）。

    体硅CMOS硅光子的集成特性演示将详细介绍Micron在开发关于在可运行体硅CMOS上集成硅光子的首个整体制程方面的研究成果。该项研究证明了硅光子作为一种“超摩尔定律”的途径，将促进未来高性能存储器的应用。这项工作是一个更大项目的一部分，该项目致力于建立一个完整的光子处理器-存储器系统，参与该项目的人员包括来自麻州理工学院、科罗拉多大学博尔德分校、加州大学贝克莱分校的研究团队。该项研究由美国国防高级研究计划局资助。

    用于存储级存储器的抗铜随机存取存储器（ReRAM）单元其目标针对混合存储器系统，该系统将存储级存储器作为非易失性高速缓存或DRAM数据备份。预期这样将提升系统效率、降低成本，因为存储级存储器的密度高于DRAM高速缓存，而速度高于存储控制模块。该次演示将介绍ReRAM存储单元技术满足以下存储级存储器性能规格的情况：16GB容量的ReRAM，写入速度200MB/s，读取速度1GB/s。该项工作专注于证明世界最先进ReRAM的性能。该项技术是在Micron的研究伙伴Sony公司的密切配合下开发的。

    此外，Micron执行层领导也将在三次VLSI研讨会议上发言。研发副总裁Scott DeBoer将于6月12日作为“新兴半导体行业趋势和启示”专家组成员出席会议。副总裁兼首席存储器系统架构师Ed Doller将于6月11日在名为“数据中心 2020：近存储器加快面向数据的应用”的电路全体会议上发言。此外，Micron NAND Solutions Group架构总监Mark Bauer将于6月12日作为“未来混合信号、RF与存储器电路的教训与挑战”研讨会专家组成员出席会议。

    关于Micron

    Micron Technology, Inc.是全球领先的先进半导体解决方案供应商之一。Micron广泛的高性能存储技术产品组合包括--DRAM、NAND和NOR闪存--是固态硬盘、模块、多芯片封装等系统解决方案的基础。以超过35年的技术领导地位为后盾，Micron的存储解决方案支持全球大多数创新计算、消费者、企业级存储、网络、移动、嵌入式和汽车应用。Micron的普通股在纳斯达克上市交易，代码是MU。欲了解有关Micron Technology, Inc.的更多信息，请访问www.micron.com。

    Micron和Micron orbit 徽标是Micron Technology, Inc 的商标。所有其他商标均为各自所有者拥有。

    联系信息：Daniel Francisco

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    dfrancisco@micron.com

    (208) 368-5584